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Four à tube fendu monozone 1200°C 50 mm de diamètre extérieur

Four à tube fendu monozone 1200°C 50 mm de diamètre extérieur

UGS: STF1200.50.600

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Four PE/CVD 1200°C avec générateur RF, mélange de gaz et système de pompage (série STF1200)

La série STF1200 est un système de four de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) , conçu pour le traitement avancé des matériaux avec un contrôle précis de la température, amélioré par un générateur RF , un système de mélange de gaz et un système de pompage . Ce four fournit des solutions efficaces pour la création de films minces, de revêtements et d'autres matériaux qui nécessitent des conditions atmosphériques et de température précises.

Caractéristiques principales :

  • Conception compacte et portable :

    • Le four est conçu pour être compact et mobile, ce qui le rend facile à intégrer dans divers environnements de laboratoire et de production.
  • Chauffage et isolation avancés :

    • Les éléments chauffants à bobine de résistance Kanthal® (Suède) A1 2.0 sont intégrés dans une isolation en fibre d'alumine de qualité 1500 Mitsubishi® (Japon) , offrant une excellente efficacité thermique.
    • Le boîtier en acier double couche minimise les pertes de chaleur vers l'extérieur tout en garantissant la durabilité.
  • Contrôle efficace de la température :

    • Le four est contrôlé par un contrôleur numérique Eurotherm® (Royaume-Uni) qui fournit un auto-réglage précis basé sur un microprocesseur PID pour un contrôle optimal de la température avec un dépassement minimal.
    • Plage de température : Max. 1200°C et température de fonctionnement constante de 1100°C.
    • Type de thermocouple : Type K pour une mesure de température fiable et précise.
    • Vitesse de chauffe : Moins de 30°C/min , adapté aux réglages rapides de température.
  • Contrôle atmosphérique et flux de gaz :

    • Le four comprend des brides d'étanchéité sous vide en acier inoxydable avec vannes, une jauge à vide et quatre blocs thermiques en céramique pour gérer le flux de gaz.
    • Plusieurs processus atmosphériques peuvent être traités en un seul cycle, tels que la combustion de liants dans l'air et le frittage de pièces sous vide ou dans des environnements de gaz inerte.
  • Système de vide et de pompage :

    • La pompe à vide est disponible à l'achat et un chariot mobile à vide peut être ajouté lorsque la pompe et le contrôleur de vide numérique sont achetés ensemble.
    • Le système garantit que la chambre du four maintient le niveau de vide requis pendant le fonctionnement.
  • Générateur RF haute fréquence pour PECVD :

    • Le générateur RF fonctionne avec une fréquence de 13 MHz avec une excellente stabilité ( ±0,005% ).
    • Le générateur fournit une plage de puissance de sortie réglable de 5 à 500 watts , permettant un contrôle précis du processus de dépôt de plasma.
    • L'adaptation automatique garantit des performances optimales en s'adaptant aux changements d'impédance pendant le fonctionnement.
    • Le port de sortie RF est de 50 Ω, de type N, femelle , adapté à la connexion de câbles RF.
  • Interface et surveillance informatique :

    • Le système dispose d'une interface informatique intégrée pour le contrôle et la surveillance à distance, permettant aux utilisateurs de connecter le four à un PC.
    • Le contrôleur Eurotherm® permet aux utilisateurs d'enregistrer et d'exporter les résultats des tests pour une analyse plus approfondie ou la conservation des enregistrements.
  • Sécurité et protection :

    • La protection contre la surchauffe arrête automatiquement le four si la température dépasse la plage acceptable ou en cas de défaillance du thermocouple.
    • La protection contre les pannes de courant garantit que le four reprend son fonctionnement à partir du point où il a été interrompu une fois l'alimentation rétablie.
    • Avertissement : Le four ne doit jamais être rempli de gaz explosifs tels que l'hydrogène, le monoxyde de carbone ou le méthane , qui pourraient présenter des risques de sécurité importants.

Caractéristiques:

Four:

  • Matériau du tube : Quartz
  • Élément chauffant : fil de résistance Kanthal® A1 2.0
  • Revêtement réfractaire : fibre d'alumine Mitsubishi® de qualité 1500
  • Plage de température :
    • Température de fonctionnement maximale : 1200°C
    • Température de fonctionnement constante : 1100°C
    • Thermocouple : Type K
  • Contrôle de la température :
    • Régulateur PID (Eurotherm® UK)
    • Précision du contrôle de la température : ±1°C (±1,8°F)
    • Vitesse de chauffe : < 30°C/min

Pompe à vide et système d'étanchéité :

  • Brides d'étanchéité sous vide : Brides en acier inoxydable avec vannes et manomètre à vide pour l'étanchéité et la gestion du gaz.
  • Manomètre à vide : inclus pour surveiller la pression interne de la chambre.
  • Chariot mobile à vide : Disponible à l’achat d’une pompe à vide et d’un contrôleur de vide numérique.

Exigences électriques :

  • Fournaise électrique : 208-240 V, 50/60 Hz, monophasé
  • Générateur RF électrique : 208-240 V, 50/60 Hz
  • Puissance de sortie RF : réglable de 5 à 500 watts (par pas de ±1 %)
  • Fréquence RF : 13 MHz avec une stabilité de ± 0,005 %
  • Puissance de réflexion : 200 watts max
  • Port de sortie RF : 50 Ω, type N femelle

Caractéristiques de sécurité :

  • Protection contre la surchauffe : arrêt automatique en cas de dépassement de la plage de température ou de défaillance du thermocouple.
  • Protection contre les pannes de courant : le four reprend son fonctionnement après le rétablissement du courant.
  • Attention : les gaz dangereux (par exemple, l'hydrogène, le CO, le méthane) ne doivent pas être utilisés.

Applications :

Le four CVD/PECVD série STF1200 est idéal pour :

  • Dépôt de couches minces : utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs, les revêtements et le traitement des matériaux.
  • Traitement au plasma : amélioration des propriétés de surface, gravure et autres processus basés sur le plasma.
  • Recherche avancée : Convient à la recherche en science des matériaux, en particulier lorsque des conditions atmosphériques et de température précises sont requises pour la production de couches minces ou des processus améliorés par plasma.

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