Four stationnaire PE/CVD 1 zone 1200°C avec générateur RF, mélange de gaz et système de pompage 60 mm de diamètre extérieur

Le Four de la série STF1200 est un outil très polyvalent conçu pour Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) Applications. Il combine un contrôle précis de la température, une conception robuste et des capacités avancées de générateur RF, ce qui le rend idéal pour la recherche et le traitement industriel de couches minces.

Caractéristiques principales

Four

1. Système de chauffage efficace

   • Kanthal A1 (Suède) Les éléments chauffants en fil métallique assurent un chauffage fiable et uniforme.
   • Isolation en fibre d'alumine de qualité 1500 de Mitsubishi (Japon) minimise les pertes de chaleur.

2. Utilisation conviviale

   • Conception à tube fendu et à ouverture par le haut offre un accès facile au tube pour un chargement/déchargement plus rapide.
   • Taux de refroidissement ultra-rapides avec système de rail de four en option.
   • Interface informatique intégrée pour une surveillance et un contrôle en temps réel via PC.

3. Contrôle précis de la température

   • Eurotherm (Royaume-Uni) contrôleur numérique:
     • Modèle 3204 : Prend en charge jusqu'à 8 segments de programmation.
     • Modèle 3504 : Prend en charge jusqu'à 50 segments de programmation pour des profils de température complexes.
   • Contrôle PID auto-réglable pour une gestion thermique précise avec un dépassement minimal.
   • Longue vie thermocouple de type K pour une mesure de température fiable.

4. Capacité à atmosphères multiples

   • Gère les environnements sous vide, inertes et aériens dans le même cycle.

5. Sécurité et durabilité

   • Protection contre la surchauffe : Arrêt automatique lors d'écarts de température ou de pannes de thermocouple.
   • Protection contre les pannes de courant : reprend automatiquement le fonctionnement à partir du point de panne.
   • Brides à vide en acier inoxydable et boîtier en acier double couche durable.

Générateur RF

• Puissance de sortie : Réglable de 5 à 500 watts par incréments de ±1%.
• Fréquence : 13 MHz avec une stabilité de ± 0,005 % pour une génération de plasma constante.
• Pouvoir de réflexion : Maximum de 200 watts .
• Correspondance automatique pour des conditions de plasma optimales.
• Port de sortie : 50 Ω, type N (femelle) connexion.
• Refroidi par air pour un fonctionnement fiable.

Caractéristiques

Four

• Matériau du tube : Quartz
• Températures de fonctionnement max/constantes : 1200°C max, 1100°C constant
• Vitesse de chauffe : jusqu'à 30°C/min
• Précision de la température : ±1°C (±1,8°F)
• Revêtement réfractaire : Fibre d'alumine de qualité Mitsubishi 1500
• Exigences électriques : 208–240 VCA, 50/60 Hz, monophasé
• Kit de bride d'étanchéité sous vide : comprend une jauge à vide, deux vannes et des blocs thermiques en céramique.

Système de mélange de gaz

• Prend en charge le mélange de gaz personnalisé pour les applications CVD et PECVD.

Pompe à vide et chariot

• Compatible avec une pompe à vide en option et un contrôleur de vide numérique pour un contrôle précis de la pression.

Générateur RF

• Exigences électriques : 208–240 VCA, 50/60 Hz
• Refroidissement : refroidi par air

Applications

1. Dépôt de couches minces
   • CVD et PECVD pour les dispositifs semi-conducteurs, les cellules solaires et les MEMS.
2. Recherche sur les matériaux
   • Synthèse de matériaux avancés, notamment de nanotubes de carbone, de graphène et de nitrures.
3. Traitement au plasma
   • Gravure au plasma et modification de surface pour des propriétés matérielles améliorées.

Ce système de four est une solution complète pour la synthèse avancée de matériaux, garantissant un fonctionnement fiable, sûr et efficace pour les tâches de recherche et industrielles exigeantes.