Horno estacionario de PE/CVD de 1 zona a 1200 °C con generador de RF, sistema de bombeo y mezcla de gases de 60 mm de diámetro exterior

El Horno de la serie STF1200 es una herramienta muy versátil diseñada para Deposición química en fase de vapor (CVD) y Deposición química en fase de vapor mejorada por plasma (PECVD) Aplicaciones. Combina un control preciso de la temperatura, un diseño robusto y capacidades avanzadas de generación de RF, lo que lo hace ideal para la investigación y el procesamiento industrial de películas delgadas.

Características principales

Horno

1. Sistema de calefacción eficiente

   • Kanthal A1 (Suecia) Los elementos calefactores de alambre garantizan un calentamiento fiable y uniforme.
   • Aislamiento de fibra de alúmina de grado 1500 de Mitsubishi (Japón) minimiza la pérdida de calor.

2. Operación fácil de usar

   • Diseño de tubo dividido y apertura superior Proporciona fácil acceso al tubo para una carga/descarga más rápida.
   • Velocidades de enfriamiento ultrarrápidas con sistema de riel de horno opcional.
   • Interfaz de computadora incorporada para monitorización y control en tiempo real vía PC.

3. Control preciso de la temperatura

   • Eurotherm (Reino Unido) controlador digital:
     • Modelo 3204 : Admite hasta 8 segmentos de programación.
     • Modelo 3504 : Admite hasta 50 segmentos de programación para perfiles de temperatura complejos.
   • Control PID autoajustable para una gestión térmica precisa con un sobreimpulso mínimo.
   • Larga vida Termopar tipo K Para una medición de temperatura confiable.

4. Capacidad de múltiples atmósferas

   • Maneja ambientes de vacío, inertes y de aire dentro del mismo ciclo.

5. Seguridad y durabilidad

   • Protección contra sobrecalentamiento : Apagado automático durante desviaciones de temperatura o fallas del termopar.
   • Protección contra falla de energía : reanuda automáticamente el funcionamiento desde el punto de falla.
   • Bridas de vacío de acero inoxidable y carcasa duradera de acero de doble capa.

Generador de RF

• Potencia de salida : ajustable desde De 5 a 500 vatios en incrementos de ±1%.
• Frecuencia : 13 MHz con ±0,005% de estabilidad para una generación de plasma consistente.
• Poder de reflexión : Máximo de 200 vatios .
• Coincidencia automática para condiciones óptimas del plasma.
• Puerto de salida : 50 Ω, tipo N (hembra) conexión.
• Refrigerado por aire para un funcionamiento confiable.

Presupuesto

Horno

• Material del tubo : Cuarzo
• Temperaturas de trabajo máximas/constantes : 1200 °C máx., 1100 °C constante
• Velocidad de calentamiento : hasta 30 °C/min
• Precisión de temperatura : ±1 °C (±1,8 °F)
• Revestimiento refractario : fibra de alúmina de grado 1500 de Mitsubishi
• Requisitos eléctricos : 208–240 V CA, 50/60 Hz, monofásico
• Kit de brida de sellado al vacío : incluye manómetro, dos válvulas y bloques cerámicos térmicos.

Sistema de mezcla de gases

• Admite mezcla de gases personalizada para aplicaciones CVD y PECVD.

Bomba de vacío y carro

• Compatible con bomba de vacío opcional y controlador de vacío digital para un control de presión preciso.

Generador de RF

• Requisitos eléctricos : 208–240 V CA, 50/60 Hz
• Refrigeración : refrigerado por aire

Aplicaciones

1. Deposición de película delgada
   • CVD y PECVD para dispositivos semiconductores, células solares y MEMS.
2. Investigación de materiales
   • Síntesis de materiales avanzados, incluidos nanotubos de carbono, grafeno y nitruros.
3. Procesamiento de plasma
   • Grabado de plasma y modificación de superficies para mejorar las propiedades del material.

Este sistema de horno es una solución completa para la síntesis avanzada de materiales, garantizando un funcionamiento confiable, seguro y eficiente para tareas industriales y de investigación exigentes.